Продукція > INFINEON > BFR35APE6327HTSA1
BFR35APE6327HTSA1

BFR35APE6327HTSA1 INFINEON

INFNS22473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.68 грн
500+10.31 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR35APE6327HTSA1 INFINEON

Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 45mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BFR35APE6327HTSA1 за ціною від 7.64 грн до 39.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327HTSA1 Infineon Technologies INFNS22473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ PG SOT-23
Supplier Device Package: PG-SOT23
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Power - Max: 280mW
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.82 грн
24+13.06 грн
27+11.61 грн
100+9.33 грн
250+8.59 грн
500+8.14 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327HTSA1 INFINEON INFNS22473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.34 грн
56+14.80 грн
100+11.68 грн
500+10.31 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFR35AP-DS-v01_01-en-1731214.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.47 грн
12+29.02 грн
100+17.06 грн
500+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR35APE6327HTSA1 INFNS22473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFR35APE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ PG SOT-23
Supplier Device Package: PG-SOT23
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Power - Max: 280mW
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+19.82 грн
24+13.06 грн
27+11.61 грн
100+9.33 грн
250+8.59 грн
500+8.14 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR35APE6327HTSA1 INFNS22473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFR35APE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
34+24.34 грн
56+14.80 грн
100+11.68 грн
500+10.31 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR35APE6327HTSA1 Infineon-BFR35AP-DS-v01_01-en-1731214.pdf
BFR35APE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+39.47 грн
12+29.02 грн
100+17.06 грн
500+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.