BFR35APE6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR35APE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 45mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BFR35APE6327HTSA1 за ціною від 6.67 грн до 36.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR35APE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR35APE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR35APE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3 |
на замовлення 2770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR35APE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR |
на замовлення 1181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR35APE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 280mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 45mA Power dissipation: 0.28W Case: SOT23 Current gain: 70...140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5GHz кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BFR35APE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BFR35APE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 280mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 45mA Power dissipation: 0.28W Case: SOT23 Current gain: 70...140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5GHz |
товар відсутній |