BFR360L3E6765 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.5dB ~ 16dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3073+ | 7.84 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3073 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR360L3E6765 Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 11.5dB ~ 16dB, Power - Max: 210mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V, Frequency - Transition: 14GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFR360L3E6765 за ціною від 7.84 грн до 7.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR 360L3 E6765 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF Transistor |
на замовлення 29490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| BFR 360L3E6765 | Infineon Technologies |
Description: LOW-NOISE TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16dB Power - Max: 210mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V Frequency - Transition: 14GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1 Part Status: Active |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BFR 360L3 E6765 |
|
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF Transistor
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF Transistor
на замовлення 29490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BFR 360L3E6765 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
Description: LOW-NOISE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3073+ | 7.84 грн |