BFR360L3E6765 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Frequency - Transition: 14GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 210mW
Gain: 11.5dB ~ 16dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR360L3E6765 Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Frequency - Transition: 14GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Power - Max: 210mW, Gain: 11.5dB ~ 16dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-101, SOT-883, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BFR360L3E6765 за ціною від 7.46 грн до 21.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BFR 360L3 E6765 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF Transistor |
на замовлення 29490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BFR 360L3E6765 | Infineon Technologies |
Description: LOW-NOISE TRANSISTORPart Status: Active Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1 Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Frequency - Transition: 14GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Power - Max: 210mW Gain: 16dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Bulk |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BFR360L3E6765 | Infineon technologies |
|
на замовлення 14800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BFR 360L3 E6765 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF Transistor
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF Transistor
на замовлення 29490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.50 грн |
| 25+ | 13.02 грн |
| 100+ | 9.04 грн |
| 500+ | 8.56 грн |
| 1000+ | 8.22 грн |
| 2500+ | 7.87 грн |
| 10000+ | 7.46 грн |
| BFR 360L3E6765 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE TRANSISTOR
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Frequency - Transition: 14GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 210mW
Gain: 16dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Bulk
Description: LOW-NOISE TRANSISTOR
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Frequency - Transition: 14GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 210mW
Gain: 16dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3073+ | 7.77 грн |
| BFR360L3E6765 |
![]() |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 14800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



