Продукція > NXP > BFR505215

BFR505215 NXP

PHGLS23192-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: NXP
Description: NXP - BFR505215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2289+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 2289
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR505215 NXP

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 18mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V, Frequency - Transition: 9GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB).

Інші пропозиції BFR505215

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFR505215 BFR505215 Виробник : NXP USA Inc. PHGLS23192-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 18mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.