BFR740EL3E6829XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 42GHZ PG-TSLP-3-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 12GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR740EL3E6829XTSA1 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 42GHZ PG-TSLP-3-10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 11dB, Power - Max: 160mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V, Frequency - Transition: 42GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 12GHz, Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10.
Інші пропозиції BFR740EL3E6829XTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR740EL3E6829XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFR740EL3E6829XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику
од. на суму грн.