BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 24.5dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 54.24 грн |
| 10+ | 37.24 грн |
| 25+ | 33.49 грн |
| 100+ | 27.58 грн |
| 250+ | 25.73 грн |
| 500+ | 24.63 грн |
| 1000+ | 23.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 24.5dB, Power - Max: 160mW, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V, Frequency - Transition: 42GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Supplier Device Package: PG-TSLP-3, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFR740L3RHE6327XTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN Silicn Germanium RF Transistor |
на замовлення 6596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BFR740L3RHE6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicn Germanium RF Transistor
RF Bipolar Transistors NPN Silicn Germanium RF Transistor
на замовлення 6596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)