BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15000+ | 32.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 40mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160mW, Bauform - Transistor: TSLP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 47GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BFR740L3RHE6327XTSA1 за ціною від 18.42 грн до 84.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 18234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 18234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 40mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: TSLP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 47GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 9312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 5158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN Silicn Germanium RF Transistor |
на замовлення 9908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz Supplier Device Package: PG-TSLP-3 Part Status: Active |
на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 2337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 40mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: TSLP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 47GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 9312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 29830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz Supplier Device Package: PG-TSLP-3 Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 4V; 40mA; 0.16W; TSLP-3-9 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.16W Case: TSLP-3-9 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 42GHz кількість в упаковці: 15000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
 |
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive 3-Pin TSLP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 4V; 40mA; 0.16W; TSLP-3-9 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.16W Case: TSLP-3-9 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 42GHz |
товар відсутній |