BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 27928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 534+ | 24.37 грн |
| 535+ | 24.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160mW, Bauform - Transistor: TSLP, Dauerkollektorstrom: 40mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 47GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFR740L3RHE6327XTSA1 за ціною від 18.39 грн до 59.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLPtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: TSLP Dauerkollektorstrom: 40mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 47GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 29830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 27928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: TSLP Dauerkollektorstrom: 40mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 47GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 44750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN Silicn Germanium RF Transistor |
на замовлення 7197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz Supplier Device Package: PG-TSLP-3 Part Status: Active |
на замовлення 13789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BFR740L3RHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz Supplier Device Package: PG-TSLP-3 Part Status: Active |
товару немає в наявності |