Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFR840L3RHESDE6327XTSA1

BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies


infineon-bfr840l3rhesd-ds-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15000+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 35mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75mW, Bauform - Transistor: TSLP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 75GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BFR840L3RHESDE6327XTSA1 за ціною від 23.14 грн до 53.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfr840l3rhesd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 14885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
444+31.65 грн
465+30.21 грн
467+30.09 грн
523+25.91 грн
1000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 444 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFR840L3RHESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389709cd4ece Description: RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 75GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
Part Status: Active
на замовлення 13845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.88 грн
10+36.99 грн
25+33.27 грн
100+27.39 грн
250+25.56 грн
500+24.46 грн
1000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFR840L3RHESD-DataSheet-v02_02-EN.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
на замовлення 28775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0008993842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0008993842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 infineon-bfr840l3rhesd-ds-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 14885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
444+31.65 грн
465+30.21 грн
467+30.09 грн
523+25.91 грн
1000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 444 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon-BFR840L3RHESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389709cd4ece
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 75GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
Part Status: Active
на замовлення 13845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.88 грн
10+36.99 грн
25+33.27 грн
100+27.39 грн
250+25.56 грн
500+24.46 грн
1000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon-BFR840L3RHESD-DataSheet-v02_02-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
на замовлення 28775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 INFN-S-A0008993842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 INFN-S-A0008993842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.