BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15000+ | 25.11 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
15000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 75mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSLP, Dauerkollektorstrom: 35mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 75GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BFR840L3RHESDE6327XTSA1 за ціною від 23.49 грн до 60.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Infineon Technologies |
 Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 14885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 75GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3 Part Status: Active |
на замовлення 13845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
на замовлення 28035 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 75mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSLP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 75GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 75mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSLP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 75GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFR840L3RHESDE6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 14885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 444+ | 32.14 грн |
| 465+ | 30.69 грн |
| 467+ | 30.57 грн |
| 523+ | 26.32 грн |
| 1000+ | 23.50 грн |
| BFR840L3RHESDE6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 75GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 75GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
Part Status: Active
на замовлення 13845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 54.11 грн |
| 10+ | 37.15 грн |
| 25+ | 33.41 грн |
| 100+ | 27.51 грн |
| 250+ | 25.67 грн |
| 500+ | 24.57 грн |
| 1000+ | 23.49 грн |
| BFR840L3RHESDE6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
на замовлення 28035 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.28 грн |
| 10+ | 38.27 грн |
| 100+ | 27.27 грн |
| 500+ | 26.09 грн |
| 1000+ | 25.43 грн |
| 5000+ | 24.85 грн |
| 10000+ | 24.04 грн |
| BFR840L3RHESDE6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 75mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSLP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 75GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 75mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSLP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 75GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFR840L3RHESDE6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 75mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSLP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 75GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 75mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSLP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 75GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)