Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFR843EL3E6327XTSA1
BFR843EL3E6327XTSA1

BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon_BFR843EL3_DataSheet_v02_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
на замовлення 9775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 55mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125mW, Bauform - Transistor: TSLP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BFR843EL3E6327XTSA1 за ціною від 18.18 грн до 62.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFR843EL3E6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 INFINEON 3929310.pdf Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 55mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR843EL3E6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 INFINEON 3929310.pdf Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 55mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 14899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.89 грн
19+41.53 грн
25+40.00 грн
50+37.85 грн
100+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.29 грн
15+52.90 грн
25+52.88 грн
100+34.66 грн
250+31.77 грн
500+29.38 грн
1000+20.90 грн
3000+18.22 грн
6000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR843EL3E6327XTSA1 3929310.pdf
BFR843EL3E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 55mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR843EL3E6327XTSA1 3929310.pdf
BFR843EL3E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 55mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR843EL3E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 14899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+44.89 грн
19+41.53 грн
25+40.00 грн
50+37.85 грн
100+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR843EL3E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+62.29 грн
15+52.90 грн
25+52.88 грн
100+34.66 грн
250+31.77 грн
500+29.38 грн
1000+20.90 грн
3000+18.22 грн
6000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.