Продукція > INFINEON > BFR843EL3E6327XTSA1
BFR843EL3E6327XTSA1

BFR843EL3E6327XTSA1 INFINEON


3929310.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 55mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.84 грн
500+16.13 грн
1000+14.25 грн
5000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR843EL3E6327XTSA1 INFINEON

Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 55mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125mW, Bauform - Transistor: TSLP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BFR843EL3E6327XTSA1 за ціною від 13.69 грн до 40.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFR843EL3E6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 Виробник : INFINEON 3929310.pdf Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 55mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.06 грн
38+21.82 грн
100+19.84 грн
500+16.13 грн
1000+14.25 грн
5000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BFR843EL3E6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BFR843EL3_DataSheet_v02_01_EN-3422089.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
на замовлення 11378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.14 грн
16+22.28 грн
100+17.54 грн
500+17.10 грн
1000+16.37 грн
2500+16.00 грн
5000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFR843EL3E6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BFR843EL3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389715764ed1 Description: RF TRANS NPN 2.6V PG TSLP-3-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 25.5dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10
на замовлення 14975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.49 грн
12+27.45 грн
25+24.52 грн
100+20.03 грн
250+18.60 грн
500+17.74 грн
1000+16.76 грн
2500+16.02 грн
5000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFR843EL3E6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BFR843EL3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389715764ed1 Description: RF TRANS NPN 2.6V PG TSLP-3-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 25.5dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.