Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFR843EL3E6327XTSA1
BFR843EL3E6327XTSA1

BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BFR843EL3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389715764ed1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.6V PG TSLP-3-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 25.5dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15000+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 2.6V PG TSLP-3-10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 25.5dB, Power - Max: 125mW, Current - Collector (Ic) (Max): 55mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V, Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10.

Інші пропозиції BFR843EL3E6327XTSA1 за ціною від 22.06 грн до 55.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BFR843EL3E6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFR843EL3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389715764ed1 Description: RF TRANS NPN 2.6V PG TSLP-3-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 25.5dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10
на замовлення 30004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.13 грн
10+36.50 грн
25+32.83 грн
100+27.01 грн
250+25.21 грн
500+24.11 грн
1000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR843EL3E6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR843EL3_DataSheet_v02_01_EN.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
на замовлення 9775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.83 грн
10+35.58 грн
100+25.30 грн
500+24.18 грн
1000+23.54 грн
5000+23.47 грн
10000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon-BFR843EL3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389715764ed1
BFR843EL3E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.6V PG TSLP-3-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 25.5dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10
на замовлення 30004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+53.13 грн
10+36.50 грн
25+32.83 грн
100+27.01 грн
250+25.21 грн
500+24.11 грн
1000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon_BFR843EL3_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BFR843EL3E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
на замовлення 9775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.83 грн
10+35.58 грн
100+25.30 грн
500+24.18 грн
1000+23.54 грн
5000+23.47 грн
10000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.