
BFR93AE6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 3.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR93AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR93AE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 6 GHz, 300 mW, 90 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 90mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 6GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFR93AE6327HTSA1 за ціною від 3.36 грн до 21.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9.5dB ~ 14.5dB Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 90mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 6GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 90mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 6GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9.5dB ~ 14.5dB Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 90mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 6GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active |
на замовлення 11669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 90mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 6GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|