BFR93AE6327HTSA1 Infineon
Виробник: Infineon
Transistor NPN; 140; 300mW; 12V; 90mA; 6GHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BFR93AE6327HTSA1; BFR93AE6327; BFR93A; BFR93A,215; BFR93A,235; BFR9 BFR93AE6327HTSA1 TBFR93a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR93AE6327HTSA1 Infineon
Description: INFINEON - BFR93AE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 6 GHz, 300 mW, 90 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 90mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 6GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BFR93AE6327HTSA1 за ціною від 6.28 грн до 95.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor NPN; 140; 300mW; 12V; 90mA; 6GHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BFR93AE6327HTSA1; BFR93AE6327; BFR93A; BFR93A,215; BFR93A,235; BFR9 BFR93AE6327HTSA1 TBFR93a кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9.5dB ~ 14.5dB Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 90mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 6GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.09A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 21634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.09A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9.5dB ~ 14.5dB Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 90mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 6GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active |
на замовлення 3455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR |
на замовлення 32809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.09A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR93AE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 6 GHz, 300 mW, 90 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 90mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 6GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 20459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR93AE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 6 GHz, 300 mW, 90 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 90mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 6GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 20459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.09A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BFR93AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
NPN 12V SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |