BFS 481 H6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 212+ | 66.82 грн |
| 250+ | 64.15 грн |
| 500+ | 61.83 грн |
| 1000+ | 57.67 грн |
| 2500+ | 51.83 грн |
| 5000+ | 48.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFS 481 H6327 Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Frequency - Transition: 8GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Power - Max: 175mW, Gain: 20dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BFS 481 H6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
BFS 481 H6327 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 2404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BFS 481 H6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



