BFS483H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 65mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 36.61 грн |
| 15+ | 27.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFS483H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN x2; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT363, Type of transistor: NPN x2, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: RF, Collector-emitter voltage: 12V, Collector current: 65mA, Power dissipation: 0.45W, Case: SOT363, Mounting: SMD, Frequency: 8GHz, Kind of package: reel; tape.
Інші пропозиції BFS483H6327XTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BFS 483 H6327 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BFS 483 H6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)