BFS17WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 15V 0.025A 280mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFS17WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ PGSOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 280mW, Current - Collector (Ic) (Max): 25mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V, Frequency - Transition: 1.4GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Supplier Device Package: PG-SOT323, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції BFS17WH6327XTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BFS17WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 15V 0.025A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
BFS17WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 280mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
BFS17WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ PGSOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 280mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 1.4GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |
|
|
|
BFS17WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ PGSOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 280mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 1.4GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |
|
 |
BFS17WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
товару немає в наявності |