BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.05 грн |
| 6000+ | 15.99 грн |
| 9000+ | 15.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 20mA, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFS481H6327XTSA1 за ціною від 15.97 грн до 57.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 20mA Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active |
на замовлення 13431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 20mA Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 20 мА, ft, МГц = 8 000, hFE = 70, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,175, Тексп, °C = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: 250 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 62 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BFS481H6327XTSA1 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор NPN, Uceo, В = 0,3, Ic = 25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors RF BIP TRANSISTORS |
товару немає в наявності |