BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies


743infineon_lna_bfs481.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fi.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.66 грн
6000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 175mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 20mA, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BFS481H6327XTSA1 за ціною від 16.34 грн до 53.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFS481H6327XTSA1 BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies 743infineon_lna_bfs481.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fi.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.66 грн
6000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies 743infineon_lna_bfs481.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fi.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies 743infineon_lna_bfs481.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fi.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfs481-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114270d383406be Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.56 грн
12+26.59 грн
25+23.83 грн
100+19.50 грн
250+18.12 грн
500+17.29 грн
1000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies 743infineon_lna_bfs481.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fi.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+53.44 грн
421+33.59 грн
500+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 BFS481H6327XTSA1 INFINEON infineon-bfs481-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114270d383406be Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 175mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 BFS481H6327XTSA1 INFINEON infineon-bfs481-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114270d383406be Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 175mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfs481-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114270d383406be Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfs481-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114270d383406be Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 20 мА, ft, МГц = 8 000, hFE = 70, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,175, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-363 Очікується: 250 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 743infineon_lna_bfs481.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fi.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.66 грн
6000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 743infineon_lna_bfs481.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fi.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 743infineon_lna_bfs481.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fi.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 infineon-bfs481-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114270d383406be
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.56 грн
12+26.59 грн
25+23.83 грн
100+19.50 грн
250+18.12 грн
500+17.29 грн
1000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 743infineon_lna_bfs481.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fi.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
265+53.44 грн
421+33.59 грн
500+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 infineon-bfs481-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114270d383406be
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 175mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 infineon-bfs481-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114270d383406be
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 175mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 infineon-bfs481-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114270d383406be
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS481H6327XTSA1 infineon-bfs481-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114270d383406be
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 20 мА, ft, МГц = 8 000, hFE = 70, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,175, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-363 Очікується: 250 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.