BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.66 грн |
| 6000+ | 23.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 175mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 20mA, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BFS481H6327XTSA1 за ціною від 16.34 грн до 53.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BFS481H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFS481H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFS481H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFS481H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFS481H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFS481H6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 175mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 20mA Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BFS481H6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 175mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 20mA Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BFS481H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 850 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFS481H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 20 мА, ft, МГц = 8 000, hFE = 70, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,175, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-363 Очікується: 250 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 62 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
| BFS481H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.66 грн |
| 6000+ | 23.05 грн |
| BFS481H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 24.06 грн |
| BFS481H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 24.08 грн |
| BFS481H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.56 грн |
| 12+ | 26.59 грн |
| 25+ | 23.83 грн |
| 100+ | 19.50 грн |
| 250+ | 18.12 грн |
| 500+ | 17.29 грн |
| 1000+ | 16.34 грн |
| BFS481H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 265+ | 53.44 грн |
| 421+ | 33.59 грн |
| 500+ | 29.26 грн |
| BFS481H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 175mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 175mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFS481H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 175mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 175mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFS481H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFS481H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 20 мА, ft, МГц = 8 000, hFE = 70, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,175, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-363 Очікується: 250 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 20 мА, ft, МГц = 8 000, hFE = 70, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,175, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-363 Очікується: 250 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 49.65 грн |




