BFS483H6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.66 грн |
| 6000+ | 15.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFS483H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFS483H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 65mA, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFS483H6327XTSA1 за ціною від 15.61 грн до 73.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BFS483H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFS483H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Frequency - Transition: 8GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Power - Max: 450mW Gain: 19dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 8175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFS483H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFS483H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 1655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFS483H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 1655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFS483H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 4665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BFS483H6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFS483H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 65mA Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BFS483H6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFS483H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 65mA Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFS483H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 29.15 грн |
| BFS483H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Power - Max: 450mW
Gain: 19dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Power - Max: 450mW
Gain: 19dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.72 грн |
| 12+ | 25.42 грн |
| 25+ | 22.77 грн |
| 100+ | 18.62 грн |
| 250+ | 17.31 грн |
| 500+ | 16.52 грн |
| 1000+ | 15.61 грн |
| BFS483H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 251+ | 56.01 грн |
| 275+ | 51.11 грн |
| 500+ | 40.07 грн |
| 1000+ | 34.65 грн |
| 3000+ | 31.32 грн |
| BFS483H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 216+ | 65.08 грн |
| 233+ | 60.30 грн |
| 280+ | 50.22 грн |
| 307+ | 44.26 грн |
| 500+ | 37.17 грн |
| 1000+ | 26.98 грн |
| BFS483H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 73.74 грн |
| 12+ | 65.08 грн |
| 25+ | 60.30 грн |
| 100+ | 48.43 грн |
| 250+ | 40.98 грн |
| 500+ | 35.68 грн |
| 1000+ | 26.98 грн |
| BFS483H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BFS483H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFS483H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 65mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFS483H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 65mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFS483H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFS483H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 65mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFS483H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 65mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





