BFT25,215 NXP Semiconductors
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1737+ | 6.72 грн |
| 1743+ | 6.7 грн |
| 1747+ | 6.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFT25,215 NXP Semiconductors
Description: NXP - BFT25,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, SOT-23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 30mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 6.5mA, Übergangsfrequenz: 2.3GHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Інші пропозиції BFT25,215 за ціною від 5.32 грн до 19.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BFT25,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R |
на замовлення 5450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BFT25,215 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 30mW Current - Collector (Ic) (Max): 6.5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1mA, 1V Frequency - Transition: 2.3GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 5.5dB @ 500MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) |
на замовлення 4782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BFT25,215 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFT25,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30mW Bauform - Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 4782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BFT25,215 | Виробник : NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 5V Current gain: 40 Collector current: 6.5mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 30mW Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Case: SOT23 Frequency: 2.3GHz |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BFT25,215 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFT25,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 30mW euEccn: NLR Verlustleistung: 30mW Bauform - Transistor: SOT-23 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6.5mA Übergangsfrequenz: 2.3GHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 4782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BFT25,215 | Виробник : NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 5V Current gain: 40 Collector current: 6.5mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 30mW Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Case: SOT23 Frequency: 2.3GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BFT25,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
BFT25,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
BFT25,215 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 30mW Current - Collector (Ic) (Max): 6.5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1mA, 1V Frequency - Transition: 2.3GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 5.5dB @ 500MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
BFT25,215 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 30mW Current - Collector (Ic) (Max): 6.5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1mA, 1V Frequency - Transition: 2.3GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 5.5dB @ 500MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete |
товар відсутній |