Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > BFT25,215
BFT25,215

BFT25,215 NXP Semiconductors

bft25_cnv_2.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFT25,215 NXP Semiconductors

Description: NXP - BFT25,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, SOT-23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 30mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 6.5mA, Übergangsfrequenz: 2.3GHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).

Інші пропозиції BFT25,215 за ціною від 10.46 грн до 19.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFT25,215 BFT25,215 NXP BFT25.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Collector current: 6.5mA
Power dissipation: 30mW
Collector-emitter voltage: 5V
Current gain: 40
Frequency: 2.3GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.65 грн
36+11.88 грн
100+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFT25,215 BFT25,215 NXP Semiconductors bft25_cnv_2.pdf Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1821+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 1821 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFT25,215 BFT25,215 NXP Semiconductors bft25_cnv_2.pdf Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1821+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 1821 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFT25,215 BFT25,215 NXP USA Inc. BFT25A.pdf Description: RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 30mW
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1mA, 1V
Frequency - Transition: 2.3GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFT25,215 BFT25,215 NXP Semiconductors BFT25_CNV-1125854.pdf RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFT25,215 BFT25,215 NXP 1499151.pdf Description: NXP - BFT25,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6.5mA
Übergangsfrequenz: 2.3GHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFT25,215 BFT25,215 NXP 1499151.pdf Description: NXP - BFT25,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFT25,215 BFT25.pdf
BFT25,215
Виробник: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Collector current: 6.5mA
Power dissipation: 30mW
Collector-emitter voltage: 5V
Current gain: 40
Frequency: 2.3GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+18.65 грн
36+11.88 грн
100+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFT25,215 bft25_cnv_2.pdf
BFT25,215
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1821+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 1821 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFT25,215 bft25_cnv_2.pdf
BFT25,215
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1821+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 1821 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFT25,215 BFT25A.pdf
BFT25,215
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 30mW
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1mA, 1V
Frequency - Transition: 2.3GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFT25,215 BFT25_CNV-1125854.pdf
BFT25,215
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFT25,215 1499151.pdf
BFT25,215
Виробник: NXP
Description: NXP - BFT25,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6.5mA
Übergangsfrequenz: 2.3GHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFT25,215 1499151.pdf
BFT25,215
Виробник: NXP
Description: NXP - BFT25,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.