BFT25A,215 NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - BFT25A,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 5 GHz, 32 mW, 6.5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 80hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6.5mA
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 44.9 грн |
| 20+ | 38.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFT25A,215 NXP
Description: NXP - BFT25A,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 5 GHz, 32 mW, 6.5 mA, SOT-23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 80hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 32mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 6.5mA, Übergangsfrequenz: 5GHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Інші пропозиції BFT25A,215 за ціною від 38.7 грн до 44.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BFT25A,215 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFT25A,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 5 GHz, 32 mW, 6.5 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 32mW Bauform - Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
BFT25A,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN 5V 5GHZ |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||
 |
BFT25A,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 32mW 3-Pin TO-236AB T/R |
товар відсутній |
|||||||
 |
BFT25A,215 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 5V 5GHZ TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 32mW Current - Collector (Ic) (Max): 6.5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|||||||
|
|
BFT25A,215 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 5V 5GHZ TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 32mW Current - Collector (Ic) (Max): 6.5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete |
товар відсутній |