BFU520AVL NXP Semiconductors
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 8.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU520AVL NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 5mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BFU520AVL за ціною від 7.26 грн до 37.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFU520AVL | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) |
на замовлення 8945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BFU520AVL | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFU520AVL | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BFU520AVL | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor |
на замовлення 4688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BFU520AVL | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BFU520AVL | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) |
товару немає в наявності |