BFU530AR NXP
Виробник: NXP
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB BFU530AR TBFU530ar
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU530AR NXP
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Gain: 18dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V, Frequency - Transition: 11GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB), Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BFU530AR за ціною від 13.15 грн до 34.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFU530AR | NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BFU530AR | NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor |
на замовлення 644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFU530AR | NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Frequency - Transition: 11GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Power - Max: 450mW Gain: 18dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BFU530AR |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.05 грн |
| 6000+ | 14.10 грн |
| 9000+ | 13.91 грн |
| BFU530AR |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.75 грн |
| 16+ | 20.62 грн |
| 100+ | 15.05 грн |
| 500+ | 14.49 грн |
| 1000+ | 14.07 грн |
| 3000+ | 13.22 грн |
| 6000+ | 13.15 грн |
| BFU530AR |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Frequency - Transition: 11GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Power - Max: 450mW
Gain: 18dB
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Frequency - Transition: 11GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Power - Max: 450mW
Gain: 18dB
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.02 грн |
| 14+ | 23.16 грн |
| 25+ | 20.69 грн |
| 100+ | 16.89 грн |
| 250+ | 15.68 грн |
| 500+ | 14.95 грн |
| 1000+ | 14.11 грн |