BFU530AR NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 16.88 грн |
| 6000+ | 15.82 грн |
| 9000+ | 15.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU530AR NXP USA Inc.
Description: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 40mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BFU530AR за ціною від 11.66 грн до 38.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFU530AR | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU530AR | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU530AR | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU530AR | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU530AR | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU530AR | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFU530AR | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU530AR | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU530AR | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU530AR | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU530AR | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU530AR | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BFU530AR | Виробник : NXP |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB BFU530AR TBFU530ar кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BFU530AR | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BFU530AR | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor |
товару немає в наявності |