BFU530AR NXP
Виробник: NXP
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB BFU530AR TBFU530ar
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 12.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU530AR NXP
Description: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 40mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BFU530AR за ціною від 13.75 грн до 33.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BFU530AR | NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFU530AR | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFU530AR | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFU530AR | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFU530AR | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFU530AR | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFU530AR | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFU530AR | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFU530AR | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFU530AR | NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Frequency - Transition: 11GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Power - Max: 450mW Gain: 18dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFU530AR | NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor |
на замовлення 644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BFU530AR | NXP |
Description: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BFU530AR | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BFU530AR | NXP |
Description: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFU530AR |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.88 грн |
| 6000+ | 13.94 грн |
| 9000+ | 13.75 грн |
| BFU530AR |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 19.47 грн |
| BFU530AR |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.68 грн |
| BFU530AR |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.68 грн |
| BFU530AR |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 698+ | 20.23 грн |
| 701+ | 20.13 грн |
| 1000+ | 20.04 грн |
| BFU530AR |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 20.55 грн |
| 38+ | 19.88 грн |
| BFU530AR |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 22.64 грн |
| BFU530AR |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1138+ | 31.01 грн |
| BFU530AR |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1138+ | 31.01 грн |
| BFU530AR |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Frequency - Transition: 11GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Power - Max: 450mW
Gain: 18dB
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Frequency - Transition: 11GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Power - Max: 450mW
Gain: 18dB
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.63 грн |
| 14+ | 22.89 грн |
| 25+ | 20.45 грн |
| 100+ | 16.69 грн |
| 250+ | 15.49 грн |
| 500+ | 14.77 грн |
| 1000+ | 13.95 грн |
| BFU530AR |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BFU530AR |
![]() |
Виробник: NXP
Description: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFU530AR |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFU530AR |
![]() |
Виробник: NXP
Description: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





