
BFU530VL NXP Semiconductors
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 32.26 грн |
13+ | 27.12 грн |
100+ | 17.63 грн |
500+ | 13.86 грн |
1000+ | 11.10 грн |
10000+ | 8.49 грн |
20000+ | 8.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU530VL NXP Semiconductors
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Gain: 15.5dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V, Frequency - Transition: 11GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: SOT-143B, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFU530VL
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFU530VL | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BFU530VL | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active |
товару немає в наявності |