BFU530VL

BFU530VL NXP Semiconductors


BFU530-3138048.pdf Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.26 грн
13+27.12 грн
100+17.63 грн
500+13.86 грн
1000+11.10 грн
10000+8.49 грн
20000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU530VL NXP Semiconductors

Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Gain: 15.5dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V, Frequency - Transition: 11GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: SOT-143B, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFU530VL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFU530VL BFU530VL Виробник : NXP Semiconductors 2803bfu530.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530VL BFU530VL Виробник : NXP USA Inc. BFU530.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.