Продукція > NXP USA INC. > BFU530WX
BFU530WX

BFU530WX NXP USA Inc.

BFU530W.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU530WX NXP USA Inc.

Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Gain: 18.5dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V, Frequency - Transition: 11GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Supplier Device Package: SC-70, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BFU530WX за ціною від 12.24 грн до 74.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFU530WX BFU530WX NXP Semiconductors BFU530W.pdf RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
на замовлення 24836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.43 грн
18+18.60 грн
100+14.42 грн
500+14.07 грн
1000+13.64 грн
3000+12.45 грн
6000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WX BFU530WX NXP USA Inc. BFU530W.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Frequency - Transition: 11GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Power - Max: 450mW
Gain: 18.5dB
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 8839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.37 грн
10+44.34 грн
25+37.18 грн
100+27.27 грн
250+23.52 грн
500+21.22 грн
1000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WX BFU530W.pdf
BFU530WX
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
на замовлення 24836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.43 грн
18+18.60 грн
100+14.42 грн
500+14.07 грн
1000+13.64 грн
3000+12.45 грн
6000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WX BFU530W.pdf
BFU530WX
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Frequency - Transition: 11GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Power - Max: 450mW
Gain: 18.5dB
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 8839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.37 грн
10+44.34 грн
25+37.18 грн
100+27.27 грн
250+23.52 грн
500+21.22 грн
1000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.