
BFU530WX NXP Semiconductors
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
650+ | 18.79 грн |
692+ | 17.65 грн |
1000+ | 16.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU530WX NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 40mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BFU530WX за ціною від 13.68 грн до 74.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFU530WX | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFU530WX | Виробник : NXP |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFU530WX | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 7242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFU530WX | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 7242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFU530WX | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFU530WX | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFU530WX | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFU530WX | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 26998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFU530WX | Виробник : NXP |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFU530WX | Виробник : NXP |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 24V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT323 Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz |
на замовлення 2928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFU530WX | Виробник : NXP |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 24V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT323 Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2928 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFU530WX | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFU530WX | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BFU530WX | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |