BFU530XRVL NXP USA Inc.


BFU530XR.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Power - Max: 450mW
Gain: 16.5dB
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-143R
Supplier Device Package: SOT-143R
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 11GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
на замовлення 6815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.59 грн
18+17.10 грн
25+14.94 грн
100+11.85 грн
250+10.80 грн
500+10.18 грн
1000+9.50 грн
2500+8.97 грн
5000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU530XRVL NXP USA Inc.

Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R, Supplier Device Package: SOT-143R, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Frequency - Transition: 11GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Power - Max: 450mW, Gain: 16.5dB, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-143R, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BFU530XRVL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFU530XRVL BFU530XRVL NXP Semiconductors BFU530XR-3138204.pdf RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRVL BFU530XR-3138204.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.