BFU550AVL

BFU550AVL NXP Semiconductors


2517bfu550a.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.18 грн
20000+5.79 грн
30000+5.73 грн
50000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU550AVL NXP Semiconductors

Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Gain: 12dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V, Frequency - Transition: 11GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB), Part Status: Active.

Інші пропозиції BFU550AVL за ціною від 5.66 грн до 36.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFU550AVL BFU550AVL Виробник : NXP Semiconductors BFU550A-3137920.pdf RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.74 грн
13+27.58 грн
100+14.93 грн
1000+7.87 грн
2500+7.43 грн
10000+6.11 грн
20000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550AVL BFU550AVL Виробник : NXP Semiconductors 2517bfu550a.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550AVL BFU550AVL Виробник : NXP Semiconductors 2517bfu550a.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550AVL BFU550AVL Виробник : NXP USA Inc. BFU550A.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.