BFU550VL NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1708+ | 17.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU550VL NXP Semiconductors
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Gain: 15dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V, Frequency - Transition: 11GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: SOT-143B, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFU550VL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BFU550VL | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
BFU550VL | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|
 |
BFU550VL | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor |
товару немає в наявності |