BFU580GX

BFU580GX NXP USA Inc.


BFU580Q.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+27.94 грн
2000+26.05 грн
3000+25.62 грн
5000+23.60 грн
7000+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU580GX NXP USA Inc.

Description: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BFU580G, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BFU580GX за ціною від 23.45 грн до 66.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFU580GX BFU580GX Виробник : NXP 2615756.pdf Description: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU580G
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.93 грн
500+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GX BFU580GX Виробник : NXP Semiconductors 362bfu580g.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
776+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 776
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GX BFU580GX Виробник : NXP USA Inc. BFU580Q.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 9085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.01 грн
10+39.77 грн
25+35.72 грн
100+29.39 грн
250+27.42 грн
500+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GX BFU580GX Виробник : NXP Semiconductors BFU580G.pdf RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.66 грн
10+39.58 грн
100+28.18 грн
500+26.89 грн
1000+25.85 грн
2000+24.25 грн
5000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GX BFU580GX Виробник : NXP 2615756.pdf Description: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU580G
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+66.72 грн
22+42.74 грн
100+34.93 грн
500+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GX BFU580GX Виробник : NXP Semiconductors 362bfu580g.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GX BFU580GX Виробник : NXP Semiconductors 362bfu580g.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.