Продукція > NXP USA INC. > BFU580QX
BFU580QX

BFU580QX NXP USA Inc.

BFU580Q.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+28.06 грн
2000+26.17 грн
3000+25.75 грн
5000+23.73 грн
7000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU580QX NXP USA Inc.

Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BFU580Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BFU580QX за ціною від 24.55 грн до 63.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFU580QX BFU580QX NXP USA Inc. BFU580Q.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 7931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.20 грн
10+39.60 грн
25+35.67 грн
100+29.42 грн
250+27.48 грн
500+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QX BFU580QX NXP Semiconductors BFU580Q.pdf RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 348 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+63.96 грн
10+40.80 грн
100+29.10 грн
500+27.85 грн
1000+26.83 грн
2000+25.51 грн
5000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QX BFU580QX NXP 2615757.pdf Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BFU580Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QX BFU580QX NXP 2615757.pdf Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BFU580Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QX BFU580Q.pdf
BFU580QX
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 7931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.20 грн
10+39.60 грн
25+35.67 грн
100+29.42 грн
250+27.48 грн
500+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QX BFU580Q.pdf
BFU580QX
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 348 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.96 грн
10+40.80 грн
100+29.10 грн
500+27.85 грн
1000+26.83 грн
2000+25.51 грн
5000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QX 2615757.pdf
BFU580QX
Виробник: NXP
Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BFU580Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QX 2615757.pdf
BFU580QX
Виробник: NXP
Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BFU580Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.