BFU630F,115 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.01 грн |
| 6000+ | 19.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU630F,115 NXP USA Inc.
Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 21GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BFU630F,115 за ціною від 15.38 грн до 91.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFU630F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFU630F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BFU630F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz |
на замовлення 4959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BFU630F,115 | Виробник : NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.2W Case: SOT343F Kind of package: reel; tape Frequency: 55GHz Mounting: SMD Current gain: 90...180 Collector-emitter voltage: 5.5V Collector current: 30mA |
на замовлення 2834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFU630F,115 | Виробник : NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.2W Case: SOT343F Kind of package: reel; tape Frequency: 55GHz Mounting: SMD Current gain: 90...180 Collector-emitter voltage: 5.5V Collector current: 30mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2834 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFU630F,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB ~ 22.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active |
на замовлення 9705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFU630F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BFU630F,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 21GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
BFU630F,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 21GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
BFU630F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
BFU630F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
товару немає в наявності |