Продукція > NXP USA INC. > BFU630F,115
BFU630F,115

BFU630F,115 NXP USA Inc.

BFU630F.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.63 грн
6000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU630F,115 NXP USA Inc.

Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 21GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BFU630F,115 за ціною від 19.15 грн до 105.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFU630F,115 BFU630F,115 NXP Semiconductors bfu630f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.81 грн
361+39.17 грн
364+38.78 грн
500+31.19 грн
1000+25.02 грн
3000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115 BFU630F,115 NXP Semiconductors bfu630f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.27 грн
14+54.40 грн
25+53.81 грн
100+37.78 грн
250+34.62 грн
500+27.72 грн
1000+24.01 грн
3000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115 BFU630F,115 NXP USA Inc. BFU630F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 9705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.03 грн
10+51.66 грн
100+34.00 грн
500+24.77 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115 BFU630F,115 NXP Semiconductors bfu630f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+105.68 грн
250+56.62 грн
294+48.10 грн
296+46.03 грн
500+36.73 грн
1000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115 BFU630F,115 NXP Semiconductors BFU630F-3138077.pdf RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115 BFU630F,115 NXP BFU630F.pdf Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115 BFU630F,115 NXP BFU630F.pdf Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115 bfu630f.pdf
BFU630F,115
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
263+53.81 грн
361+39.17 грн
364+38.78 грн
500+31.19 грн
1000+25.02 грн
3000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115 bfu630f.pdf
BFU630F,115
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+64.27 грн
14+54.40 грн
25+53.81 грн
100+37.78 грн
250+34.62 грн
500+27.72 грн
1000+24.01 грн
3000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115 BFU630F.pdf
BFU630F,115
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 9705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.03 грн
10+51.66 грн
100+34.00 грн
500+24.77 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115 bfu630f.pdf
BFU630F,115
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
134+105.68 грн
250+56.62 грн
294+48.10 грн
296+46.03 грн
500+36.73 грн
1000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115 BFU630F-3138077.pdf
BFU630F,115
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115 BFU630F.pdf
BFU630F,115
Виробник: NXP
Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115 BFU630F.pdf
BFU630F,115
Виробник: NXP
Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.