BFU660F,115

BFU660F,115 NXP Semiconductors


bfu660f.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU660F,115 NXP Semiconductors

Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 60mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 21GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BFU660F,115 за ціною від 11.6 грн до 42.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFU660F,115 BFU660F,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu660f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU660F,115 BFU660F,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu660f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 16472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
578+19.71 грн
614+ 18.54 грн
617+ 18.47 грн
681+ 16.11 грн
1000+ 13.63 грн
3000+ 12.8 грн
6000+ 12.5 грн
15000+ 12.2 грн
Мінімальне замовлення: 578
BFU660F,115 BFU660F,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu660f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 16472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+20.04 грн
30+ 19.08 грн
31+ 18.3 грн
100+ 16.6 грн
250+ 15.31 грн
500+ 13.3 грн
1000+ 12.15 грн
3000+ 11.88 грн
6000+ 11.6 грн
Мінімальне замовлення: 29
BFU660F,115 BFU660F,115 Виробник : NXP Semiconductors BFU660F-3138155.pdf RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.72 грн
10+ 36 грн
100+ 23.89 грн
500+ 18.96 грн
1000+ 14.9 грн
3000+ 12.6 грн
9000+ 11.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU660F,115 BFU660F,115 Виробник : NXP BFU660F.pdf Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU660F,115 BFU660F,115 Виробник : NXP BFU660F.pdf Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU660F,115 BFU660F,115
Код товару: 99607
BFU660F.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BFU660F,115 BFU660F,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu660f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
товар відсутній
BFU660F,115 BFU660F,115 Виробник : NXP USA Inc. BFU660F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товар відсутній
BFU660F,115 BFU660F,115 Виробник : NXP USA Inc. BFU660F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товар відсутній