Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > BFU660F,115

BFU660F,115

BFU660F.pdf
Код товару: 99607
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BFU660F,115 за ціною від 16.82 грн до 74.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFU660F,115 BFU660F,115 NXP USA Inc. BFU660F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F,115 NXP Semiconductors bfu660f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F,115 NXP Semiconductors bfu660f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F,115 NXP Semiconductors bfu660f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
572+24.70 грн
575+24.58 грн
625+22.58 грн
1000+20.30 грн
2000+18.69 грн
3000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F,115 NXP Semiconductors bfu660f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 15852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+29.77 грн
479+29.48 грн
484+29.17 грн
500+27.84 грн
1000+25.51 грн
3000+24.23 грн
6000+23.97 грн
15000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F,115 NXP Semiconductors bfu660f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 15852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.37 грн
26+29.77 грн
100+28.42 грн
250+26.05 грн
500+24.75 грн
1000+24.49 грн
3000+24.23 грн
6000+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F,115 NXP USA Inc. BFU660F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Frequency - Transition: 21GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Power - Max: 225mW
Gain: 12dB ~ 21dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.30 грн
10+44.88 грн
100+29.30 грн
500+21.19 грн
1000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F,115 NXP Semiconductors BFU660F-3138155.pdf RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F,115 NXP PHGLS22179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F,115 NXP PHGLS22179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F.pdf
BFU660F,115
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 bfu660f.pdf
BFU660F,115
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 bfu660f.pdf
BFU660F,115
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 bfu660f.pdf
BFU660F,115
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
572+24.70 грн
575+24.58 грн
625+22.58 грн
1000+20.30 грн
2000+18.69 грн
3000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 bfu660f.pdf
BFU660F,115
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 15852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
475+29.77 грн
479+29.48 грн
484+29.17 грн
500+27.84 грн
1000+25.51 грн
3000+24.23 грн
6000+23.97 грн
15000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 bfu660f.pdf
BFU660F,115
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 15852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+30.37 грн
26+29.77 грн
100+28.42 грн
250+26.05 грн
500+24.75 грн
1000+24.49 грн
3000+24.23 грн
6000+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F.pdf
BFU660F,115
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Frequency - Transition: 21GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Power - Max: 225mW
Gain: 12dB ~ 21dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.30 грн
10+44.88 грн
100+29.30 грн
500+21.19 грн
1000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F-3138155.pdf
BFU660F,115
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 PHGLS22179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFU660F,115
Виробник: NXP
Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 PHGLS22179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFU660F,115
Виробник: NXP
Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.