Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > BFU660F,115
BFU660F,115

BFU660F,115

BFU660F.pdf
Код товару: 99607
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BFU660F,115 за ціною від 13.71 грн до 75.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFU660F,115 BFU660F,115 NXP USA Inc. BFU660F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F,115 NXP Semiconductors BFU660F-3138155.pdf RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.52 грн
10+34.29 грн
100+21.94 грн
500+18.21 грн
1000+16.81 грн
3000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F,115 NXP USA Inc. BFU660F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Frequency - Transition: 21GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Power - Max: 225mW
Gain: 12dB ~ 21dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.16 грн
10+45.41 грн
100+29.64 грн
500+21.44 грн
1000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F.pdf
BFU660F,115
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F-3138155.pdf
BFU660F,115
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.52 грн
10+34.29 грн
100+21.94 грн
500+18.21 грн
1000+16.81 грн
3000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115 BFU660F.pdf
BFU660F,115
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Frequency - Transition: 21GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Power - Max: 225mW
Gain: 12dB ~ 21dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.16 грн
10+45.41 грн
100+29.64 грн
500+21.44 грн
1000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.