BFU660F,115 NXP Semiconductors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 16.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU660F,115 NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 60mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 21GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BFU660F,115 за ціною від 14.35 грн до 75.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFU660F,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB ~ 21dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFU660F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFU660F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFU660F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R |
на замовлення 15852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFU660F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R |
на замовлення 15852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BFU660F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz |
на замовлення 849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFU660F,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB ~ 21dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active |
на замовлення 4878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BFU660F,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 21GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
BFU660F,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 21GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
BFU660F,115 Код товару: 99607
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||
 |
BFU660F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R |
товару немає в наявності |