Продукція > NXP USA INC. > BFU710F,115
BFU710F,115

BFU710F,115 NXP USA Inc.

BFU710F.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU710F,115 NXP USA Inc.

Description: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 43GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BFU710F,115 за ціною від 15.35 грн до 70.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFU710F,115 BFU710F,115 NXP Semiconductors bfu710f.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 20407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
705+20.04 грн
715+19.74 грн
727+19.43 грн
738+18.44 грн
1000+16.81 грн
3000+15.87 грн
6000+15.61 грн
15000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115 BFU710F,115 NXP Semiconductors bfu710f.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 20407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.65 грн
38+20.04 грн
100+19.03 грн
250+17.35 грн
500+16.39 грн
1000+16.14 грн
3000+15.87 грн
6000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115 BFU710F,115 NXP USA Inc. BFU710F.pdf Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Frequency - Transition: 43GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Power - Max: 136mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 9240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.39 грн
10+42.25 грн
100+27.49 грн
500+19.84 грн
1000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115 BFU710F,115 NXP Semiconductors BFU710F-3137841.pdf RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115 BFU710F,115 NXP BFU710F.pdf Description: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115 BFU710F,115 NXP BFU710F.pdf Description: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115 bfu710f.pdf
BFU710F,115
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 20407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
705+20.04 грн
715+19.74 грн
727+19.43 грн
738+18.44 грн
1000+16.81 грн
3000+15.87 грн
6000+15.61 грн
15000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115 bfu710f.pdf
BFU710F,115
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 20407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+20.65 грн
38+20.04 грн
100+19.03 грн
250+17.35 грн
500+16.39 грн
1000+16.14 грн
3000+15.87 грн
6000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115 BFU710F.pdf
BFU710F,115
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Frequency - Transition: 43GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Power - Max: 136mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 9240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.39 грн
10+42.25 грн
100+27.49 грн
500+19.84 грн
1000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115 BFU710F-3137841.pdf
BFU710F,115
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115 BFU710F.pdf
BFU710F,115
Виробник: NXP
Description: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115 BFU710F.pdf
BFU710F,115
Виробник: NXP
Description: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.