Продукція > NXP USA INC. > BFU710F,115
BFU710F,115

BFU710F,115 NXP USA Inc.

BFU710F.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU710F,115 NXP USA Inc.

Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343F, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 136mW, Current - Collector (Ic) (Max): 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V, Frequency - Transition: 43GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz, Supplier Device Package: 4-DFP, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFU710F,115 за ціною від 12.87 грн до 71.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFU710F,115 BFU710F,115 NXP Semiconductors BFU710F-3137841.pdf RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.65 грн
10+32.92 грн
100+20.68 грн
500+16.88 грн
1000+15.05 грн
3000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115 BFU710F,115 NXP USA Inc. BFU710F.pdf Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Frequency - Transition: 43GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Power - Max: 136mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 9240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.20 грн
10+42.74 грн
100+27.81 грн
500+20.07 грн
1000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115 BFU710F-3137841.pdf
BFU710F,115
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.65 грн
10+32.92 грн
100+20.68 грн
500+16.88 грн
1000+15.05 грн
3000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115 BFU710F.pdf
BFU710F,115
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Frequency - Transition: 43GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Power - Max: 136mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 9240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.20 грн
10+42.74 грн
100+27.81 грн
500+20.07 грн
1000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.