Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > BFU725F/N1,115
BFU725F/N1,115

BFU725F/N1,115 NXP Semiconductors

bfu725f_n1_1.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 8974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
976+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 976
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU725F/N1,115 NXP Semiconductors

Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 25mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 55GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BFU725F/N1,115 за ціною від 11.01 грн до 66.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu725f_n1_1.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
882+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 882
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Виробник : NXP USA Inc. BFU725F_N1.pdf Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu725f_n1_1.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1915+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 1915
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu725f_n1_1.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1915+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 1915
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu725f_n1_1.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1915+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 1915
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu725f_n1_1.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1915+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 1915
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu725f_n1_1.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+16.44 грн
40+15.22 грн
100+13.35 грн
250+12.24 грн
500+11.13 грн
1000+11.07 грн
3000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Виробник : NXP 1734627.pdf Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Виробник : NXP Semiconductors BFU725F_N1-3138124.pdf RF Bipolar Transistors 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.14 грн
13+27.75 грн
100+17.88 грн
500+14.93 грн
1000+13.90 грн
3000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Виробник : NXP BFU725F_N1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 136mW
Case: SOT343F
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110GHz
Mounting: SMD
Current gain: 160...400
Collector-emitter voltage: 2.8V
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
Collector current: 40mA
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.61 грн
15+26.90 грн
57+15.79 грн
156+14.94 грн
1000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Виробник : NXP 1734627.pdf Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+43.99 грн
27+31.53 грн
100+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Виробник : NXP BFU725F_N1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 136mW
Case: SOT343F
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110GHz
Mounting: SMD
Current gain: 160...400
Collector-emitter voltage: 2.8V
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
Collector current: 40mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.54 грн
10+33.52 грн
57+18.94 грн
156+17.93 грн
1000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Виробник : NXP USA Inc. BFU725F_N1.pdf Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
на замовлення 4541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.05 грн
10+39.70 грн
100+25.73 грн
500+18.50 грн
1000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu725f_n1_1.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu725f_n1_1.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.