Продукція > NXP > BFU725F/N1,115
BFU725F/N1,115

BFU725F/N1,115 NXP

BFU725F_N1.pdf
Виробник: NXP
Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU725F/N1,115 NXP

Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Dauerkollektorstrom: 25mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 55GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BFU725F/N1,115 за ціною від 12.73 грн до 62.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 NXP BFU725F_N1.pdf Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 NXP USA Inc. BFU725F_N1.pdf Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.34 грн
10+35.50 грн
100+23.00 грн
500+16.54 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 NXP BFU725F_N1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
Case: SOT343F
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110GHz
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Collector current: 40mA
Power dissipation: 136mW
Collector-emitter voltage: 2.8V
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.99 грн
12+36.91 грн
50+25.82 грн
100+22.35 грн
500+16.42 грн
1000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 NXP Semiconductors BFU725F_N1.pdf RF Bipolar Transistors 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.77 грн
10+38.25 грн
100+21.80 грн
500+16.81 грн
1000+14.91 грн
3000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F_N1.pdf
BFU725F/N1,115
Виробник: NXP
Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F_N1.pdf
BFU725F/N1,115
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.34 грн
10+35.50 грн
100+23.00 грн
500+16.54 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F_N1.pdf
BFU725F/N1,115
Виробник: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
Case: SOT343F
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110GHz
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Collector current: 40mA
Power dissipation: 136mW
Collector-emitter voltage: 2.8V
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+61.99 грн
12+36.91 грн
50+25.82 грн
100+22.35 грн
500+16.42 грн
1000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115 BFU725F_N1.pdf
BFU725F/N1,115
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.77 грн
10+38.25 грн
100+21.80 грн
500+16.81 грн
1000+14.91 грн
3000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.