BFU730F,115 NXP Semiconductors
на замовлення 10364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1153+ | 10.58 грн |
| 1171+ | 10.42 грн |
| 1191+ | 10.25 грн |
| 1210+ | 9.73 грн |
| 1230+ | 8.86 грн |
| 3000+ | 8.37 грн |
| 6000+ | 8.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU730F,115 NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 197mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 55GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BFU730F,115 за ціною від 8.96 грн до 73.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFU730F,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-DFPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 197mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 55GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFU730F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R |
на замовлення 10364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BFU730F,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 197mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 55GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFU730F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R |
на замовлення 1896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFU730F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BFU730F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |
на замовлення 12884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFU730F,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 197mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 55GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFU730F,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 197mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 55GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active |
на замовлення 27892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BFU730F,115 Код товару: 99614
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||||
 |
BFU730F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BFU730F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R |
товару немає в наявності |