Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > BFU730F,115
BFU730F,115

BFU730F,115 NXP Semiconductors

bfu730f.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1134+10.97 грн
1152+10.80 грн
1170+10.64 грн
1189+10.09 грн
1208+9.19 грн
3000+8.68 грн
6000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 1134
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU730F,115 NXP Semiconductors

Description: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 197mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 55GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BFU730F,115 за ціною від 9.30 грн до 72.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu730f.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+18.76 грн
59+12.12 грн
60+11.94 грн
61+11.33 грн
100+10.33 грн
250+9.77 грн
500+9.61 грн
1000+9.46 грн
3000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP 2353633.pdf Description: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu730f.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1298+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 1298
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu730f.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1298+23.97 грн
10000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 1298
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP 2353633.pdf Description: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.52 грн
28+31.85 грн
100+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP USA Inc. BFU730F.pdf Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.21 грн
10+43.48 грн
100+28.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115
Код товару: 99614
Додати до обраних Обраний товар

BFU730F.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu730f.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu730f.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP USA Inc. BFU730F.pdf Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP Semiconductors BFU730F.pdf RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.