BFU730F,115

BFU730F,115 NXP Semiconductors


bfu730f.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 16364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1051+11.59 грн
1067+11.41 грн
1084+11.23 грн
1101+10.66 грн
1119+9.72 грн
3000+9.17 грн
6000+9.03 грн
15000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 1051
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU730F,115 NXP Semiconductors

Description: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 197mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 55GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BFU730F,115 за ціною від 8.52 грн до 70.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP USA Inc. BFU730F.pdf Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.68 грн
6000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu730f.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
811+15.01 грн
816+14.93 грн
838+14.52 грн
1000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 811
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu730f.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 16364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+15.91 грн
55+11.08 грн
56+10.93 грн
57+10.38 грн
100+9.46 грн
250+8.94 грн
500+8.80 грн
1000+8.66 грн
3000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu730f.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1548+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 1548
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu730f.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1548+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 1548
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP BFU730F.pdf Description: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.30 грн
500+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP Semiconductors BFU730F-3137945.pdf RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.79 грн
100+19.81 грн
500+16.91 грн
1000+15.89 грн
3000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP BFU730F.pdf Description: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+32.64 грн
28+30.12 грн
100+22.30 грн
500+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP USA Inc. BFU730F.pdf Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 27892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.65 грн
10+42.18 грн
100+27.54 грн
500+19.94 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115
Код товару: 99614
Додати до обраних Обраний товар

BFU730F.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu730f.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115 BFU730F,115 Виробник : NXP Semiconductors bfu730f.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.