Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > BFU730LXZ
BFU730LXZ

BFU730LXZ NXP Semiconductors

3058bfu730lx.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1586+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 1586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU730LXZ NXP Semiconductors

Description: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160mW, Bauform - Transistor: SOT-883C, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 53GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BFU730LXZ за ціною від 13.52 грн до 60.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFU730LXZ BFU730LXZ NXP USA Inc. BFU730LX.pdf Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3
Supplier Device Package: DFN1006C-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Frequency - Transition: 53GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 160mW
Gain: 15.8dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.22 грн
10+35.62 грн
100+23.05 грн
500+16.55 грн
1000+14.90 грн
2000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730LXZ BFU730LXZ NXP 2353647.pdf Description: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-883C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 53GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730LXZ BFU730LX.pdf
BFU730LXZ
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3
Supplier Device Package: DFN1006C-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Frequency - Transition: 53GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 160mW
Gain: 15.8dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.22 грн
10+35.62 грн
100+23.05 грн
500+16.55 грн
1000+14.90 грн
2000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730LXZ 2353647.pdf
BFU730LXZ
Виробник: NXP
Description: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-883C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 53GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.