BFU730LXZ NXP Semiconductors
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1586+ | 7.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU730LXZ NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160mW, Bauform - Transistor: SOT-883C, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 53GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BFU730LXZ за ціною від 7.99 грн до 61.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFU730LXZ | Виробник : NXP |
 Description: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-883C Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 53GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFU730LXZ | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors SiGe:C MMIC Transistor |
на замовлення 5571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFU730LXZ | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 15.8dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V Frequency - Transition: 53GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz Supplier Device Package: DFN1006C-3 |
на замовлення 4246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFU730LXZ | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BFU730LXZ | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BFU730LXZ | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 15.8dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V Frequency - Transition: 53GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz Supplier Device Package: DFN1006C-3 |
товару немає в наявності |