BFU768F,115 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsDescription: BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 110GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 2623150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1845+ | 11.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU768F,115 NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 70mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 220mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BFU768F, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 110GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BFU768F,115 за ціною від 10.09 грн до 58.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFU768F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
на замовлення 477000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFU768F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFU768F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
на замовлення 1335000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFU768F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFU768F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
на замовлення 568150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFU768F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFU768F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BFU768F,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 70mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU768F Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 110GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BFU768F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor |
на замовлення 4769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFU768F,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 70mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU768F Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 110GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BFU768F,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.1dB Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BFU768F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BFU768F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BFU768F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BFU768F,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.1dB Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP |
товару немає в наявності |