BFU768F,115 NXP Semiconductors
Виробник: NXP Semiconductors
Description: BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 110GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1845+ | 12.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU768F,115 NXP Semiconductors
Description: BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-343F, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 13.1dB, Power - Max: 220mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V, Frequency - Transition: 110GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz, Supplier Device Package: 4-DFP.
Інші пропозиції BFU768F,115 за ціною від 8.86 грн до 58.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BFU768F,115 | NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor |
на замовлення 4554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFU768F,115 | NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.1dB Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BFU768F,115 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor
RF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.79 грн |
| 11+ | 30.81 грн |
| 100+ | 18.28 грн |
| 500+ | 15.19 грн |
| 1000+ | 12.94 грн |
| 3000+ | 10.13 грн |
| 9000+ | 8.86 грн |
| BFU768F,115 |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.55 грн |
| 10+ | 34.97 грн |
| 100+ | 22.53 грн |



