BFU768F,115

BFU768F,115 NXP Semiconductors


BFU768F.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Description: BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 110GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 2623150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1845+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 1845
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU768F,115 NXP Semiconductors

Description: BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-343F, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 13.1dB, Power - Max: 220mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V, Frequency - Transition: 110GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz, Supplier Device Package: 4-DFP.

Інші пропозиції BFU768F,115 за ціною від 8.86 грн до 58.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFU768F,115 BFU768F,115 NXP Semiconductors BFU768F.pdf RF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.79 грн
11+30.81 грн
100+18.28 грн
500+15.19 грн
1000+12.94 грн
3000+10.13 грн
9000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115 BFU768F,115 NXP USA Inc. BFU768F.pdf Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.55 грн
10+34.97 грн
100+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115 BFU768F.pdf
BFU768F,115
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.79 грн
11+30.81 грн
100+18.28 грн
500+15.19 грн
1000+12.94 грн
3000+10.13 грн
9000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115 BFU768F.pdf
BFU768F,115
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.55 грн
10+34.97 грн
100+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.