BG3130H6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: RF MOSFET 5V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Gain: 24dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 1.3dB
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 14 mA
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2968+ | 6.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BG3130H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 5V SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Current Rating (Amps): 25mA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 800MHz, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Gain: 24dB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Noise Figure: 1.3dB, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 8 V, Voltage - Test: 5 V, Current - Test: 14 mA.
Інші пропозиції BG3130H6327XTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BG3130H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF MOSFET 5V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Current Rating (Amps): 25mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 800MHz Configuration: 2 N-Channel (Dual) Gain: 24dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 1.3dB Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 8 V Voltage - Test: 5 V Current - Test: 14 mA |
товар відсутній |
|
| BG3130H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF MOSFET Transistors RF MOSFETS |
товар відсутній |