BGAP2D30AE6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: WIRELESS INFRASTRUCTURE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 4.2GHz
RF Type: 4G, 5G
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Gain: 35.2dB
Current - Supply: 121mA
Noise Figure: 3.1dB
P1dB: 28.5dBm
Supplier Device Package: PG-TSNP-16-13
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 239.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BGAP2D30AE6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: WIRELESS INFRASTRUCTURE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-WFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.3GHz ~ 4.2GHz, RF Type: 4G, 5G, Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, Gain: 35.2dB, Current - Supply: 121mA, Noise Figure: 3.1dB, P1dB: 28.5dBm, Supplier Device Package: PG-TSNP-16-13.
Інші пропозиції BGAP2D30AE6327XTSA1 за ціною від 221.83 грн до 484.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BGAP2D30AE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: WIRELESS INFRASTRUCTURE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.3GHz ~ 4.2GHz RF Type: 4G, 5G Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Gain: 35.2dB Current - Supply: 121mA Noise Figure: 3.1dB P1dB: 28.5dBm Supplier Device Package: PG-TSNP-16-13 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BGAP2D30AE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Driver Amplifier |
товару немає в наявності |