BGAP2S20AE6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: WIRELESS INFRASTRUCTURE
Supplier Device Package: PG-TSNP-16-13
Test Frequency: 2.5GHz
P1dB: 28.9dBm
Noise Figure: 3.8dB
Current - Supply: 121mA
Gain: 34.8dB
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
RF Type: 4G, 5G
Frequency: 2.3GHz ~ 2.7GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 489.88 грн |
| 10+ | 362.22 грн |
| 25+ | 329.54 грн |
| 100+ | 271.84 грн |
| 250+ | 252.10 грн |
| 500+ | 239.38 грн |
| 1000+ | 224.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BGAP2S20AE6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: WIRELESS INFRASTRUCTURE, Supplier Device Package: PG-TSNP-16-13, Test Frequency: 2.5GHz, P1dB: 28.9dBm, Noise Figure: 3.8dB, Current - Supply: 121mA, Gain: 34.8dB, Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, RF Type: 4G, 5G, Frequency: 2.3GHz ~ 2.7GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 16-WFDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BGAP2S20AE6327XTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BGAP2S20AE6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Amplifier WIRELESS INFRASTRUCTURE |
на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BGAP2S20AE6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
RF Amplifier WIRELESS INFRASTRUCTURE
RF Amplifier WIRELESS INFRASTRUCTURE
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)