Продукція > Транзистори > IGBT > BIDNW30N60H3

BIDNW30N60H3

BIDNW30N60H3.pdf
Код товару: 189125
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BIDNW30N60H3 за ціною від 166.65 грн до 299.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 BOURNS BIDNW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 230W
Gate charge: 76nC
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+210.72 грн
200+171.63 грн
350+169.97 грн
700+166.65 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns bidnw30n60h3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230mW Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.75 грн
10+276.65 грн
25+263.35 грн
50+239.76 грн
100+208.62 грн
500+198.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns Bourns_7-25-2022_BIDNW30N60H3_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 BOURNS 3763398.pdf Description: BOURNS - BIDNW30N60H3 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 230W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3.pdf
BIDNW30N60H3
Виробник: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 230W
Gate charge: 76nC
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+210.72 грн
200+171.63 грн
350+169.97 грн
700+166.65 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 bidnw30n60h3.pdf
BIDNW30N60H3
Виробник: Bourns
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230mW Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+299.75 грн
10+276.65 грн
25+263.35 грн
50+239.76 грн
100+208.62 грн
500+198.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 Bourns_7-25-2022_BIDNW30N60H3_datasheet.pdf
BIDNW30N60H3
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 3763398.pdf
BIDNW30N60H3
Виробник: BOURNS
Description: BOURNS - BIDNW30N60H3 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 230W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.