Продукція > BOURNS > BIDW30N60T
BIDW30N60T

BIDW30N60T Bourns

bidw30n60t.pdf
Виробник: Bourns
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+197.50 грн
150+193.72 грн
300+189.94 грн
600+180.43 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 72 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BIDW30N60T Bourns

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns, Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 76 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 230 W.

Інші пропозиції BIDW30N60T за ціною від 136.94 грн до 385.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BIDW30N60T BIDW30N60T BOURNS BIDW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3; Eoff: 0.45mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Field Stop; Trench
Turn-on time: 30ns
Turn-off switching energy: 0.45mJ
Turn-on switching energy: 1.85mJ
Gate charge: 76nC
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+222.98 грн
350+168.43 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns bidw30n60t.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.34 грн
10+254.11 грн
25+247.02 грн
50+235.83 грн
100+188.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns bidw30n60t.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+279.34 грн
56+254.11 грн
58+235.83 грн
100+188.16 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Inc. BIDW30N60T.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.49 грн
30+208.14 грн
120+172.23 грн
510+136.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW30N60T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T BOURNS BIDW30N60T.pdf Description: BOURNS - BIDW30N60T - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 230W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T.pdf
BIDW30N60T
Виробник: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3; Eoff: 0.45mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Field Stop; Trench
Turn-on time: 30ns
Turn-off switching energy: 0.45mJ
Turn-on switching energy: 1.85mJ
Gate charge: 76nC
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+222.98 грн
350+168.43 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T bidw30n60t.pdf
BIDW30N60T
Виробник: Bourns
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+279.34 грн
10+254.11 грн
25+247.02 грн
50+235.83 грн
100+188.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T bidw30n60t.pdf
BIDW30N60T
Виробник: Bourns
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+279.34 грн
56+254.11 грн
58+235.83 грн
100+188.16 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T.pdf
BIDW30N60T
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+385.49 грн
30+208.14 грн
120+172.23 грн
510+136.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T Bourns_7-25-2022_BIDW30N60T_datasheet.pdf
BIDW30N60T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T.pdf
BIDW30N60T
Виробник: BOURNS
Description: BOURNS - BIDW30N60T - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 230W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.