BIDW40N65ES5 Bourns Inc.


BIDW40N65ES5.pdf
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 580µJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+386.68 грн
30+210.93 грн
120+177.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BIDW40N65ES5 Bourns Inc.

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 106 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns, Switching Energy: 580µJ (on), 630µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 107 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 230 W.

Інші пропозиції BIDW40N65ES5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BIDW40N65ES5 BIDW40N65ES5 Bourns Bourns_01-17-2024_BIDW40N65ES5.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW40N65ES5 BIDW40N65ES5 BOURNS 4135930.pdf Description: BOURNS - BIDW40N65ES5 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 230W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW40N65ES5 Bourns_01-17-2024_BIDW40N65ES5.pdf
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW40N65ES5 4135930.pdf
Виробник: BOURNS
Description: BOURNS - BIDW40N65ES5 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 230W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.