BIDW40N65ES5 BOURNS
Виробник: BOURNSDescription: BOURNS - BIDW40N65ES5 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 376.24 грн |
| 10+ | 214.49 грн |
| 100+ | 178.45 грн |
| 500+ | 162.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BIDW40N65ES5 BOURNS
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 106 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns, Switching Energy: 580µJ (on), 630µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 107 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 230 W.
Інші пропозиції BIDW40N65ES5 за ціною від 148.87 грн до 457.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BIDW40N65ES5 | Виробник : Bourns Inc. |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 106 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns Switching Energy: 580µJ (on), 630µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 107 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 230 W |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BIDW40N65ES5 | Виробник : Bourns |
IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|