на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 451.80 грн |
| 10+ | 285.83 грн |
| 100+ | 198.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BIDW50N65T Bourns
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 37.5 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/125ns, Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 123 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 416 W.
Інші пропозиції BIDW50N65T за ціною від 150.33 грн до 464.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BIDW50N65T | Виробник : Bourns Inc. |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37.5 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/125ns Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 123 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 416 W |
на замовлення 2226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BIDW50N65T | Виробник : BOURNS |
Description: BOURNS - BIDW50N65T - IGBT, 100 A, 1.65 V, 416 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| BIDW50N65T | Виробник : Bourns |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |