BIDW75N65ES5

BIDW75N65ES5 Bourns Inc.


BIDW75N65ES5.pdf Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/194ns
Switching Energy: 1.56mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 184 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+415.65 грн
30+ 319.58 грн
120+ 285.95 грн
510+ 236.78 грн
1020+ 213.11 грн
2010+ 199.69 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BIDW75N65ES5 Bourns Inc.

Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 123 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/194ns, Switching Energy: 1.56mJ (on), 1.07mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 184 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 394 W.

Інші пропозиції BIDW75N65ES5 за ціною від 219.09 грн до 451.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BIDW75N65ES5 BIDW75N65ES5 Виробник : Bourns Bourns_01_17_2024_BIDW75N65ES5-3392676.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+451.39 грн
10+ 381.38 грн
25+ 300.34 грн
100+ 276.36 грн
250+ 260.38 грн
600+ 243.07 грн
1200+ 219.09 грн