Продукція > BOURNS INC. > BIDW75N65ES5
BIDW75N65ES5

BIDW75N65ES5 Bourns Inc.

BIDW75N65ES5.pdf
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/194ns
Switching Energy: 1.56mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 184 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+539.57 грн
30+300.36 грн
120+252.31 грн
510+203.74 грн
1020+194.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BIDW75N65ES5 Bourns Inc.

Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 123 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/194ns, Switching Energy: 1.56mJ (on), 1.07mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 184 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 394 W.

Інші пропозиції BIDW75N65ES5 за ціною від 234.54 грн до 554.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BIDW75N65ES5 BIDW75N65ES5 Bourns Bourns_01-17-2024_BIDW75N65ES5.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+554.11 грн
10+342.21 грн
100+249.93 грн
600+234.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65ES5 BIDW75N65ES5 BOURNS 4135932.pdf Description: BOURNS - BIDW75N65ES5 - IGBT, 150 A, 1.42 V, 394 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V
Verlustleistung: 394W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65ES5 Bourns_01-17-2024_BIDW75N65ES5.pdf
BIDW75N65ES5
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+554.11 грн
10+342.21 грн
100+249.93 грн
600+234.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65ES5 4135932.pdf
BIDW75N65ES5
Виробник: BOURNS
Description: BOURNS - BIDW75N65ES5 - IGBT, 150 A, 1.42 V, 394 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V
Verlustleistung: 394W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.