BLF2425M7LS140,112 Ampleon USA Inc.
Виробник: Ampleon USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B
Current - Test: 1.3 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: SOT502B
Technology: LDMOS
Gain: 18.5dB
Power - Output: 140W
Frequency: 2.45GHz
Package / Case: SOT-502B
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BLF2425M7LS140,112 Ampleon USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B, Current - Test: 1.3 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: SOT502B, Technology: LDMOS, Gain: 18.5dB, Power - Output: 140W, Frequency: 2.45GHz, Package / Case: SOT-502B, Packaging: Tube.
Інші пропозиції BLF2425M7LS140,112
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BLF2425M7LS140,112 | NXP |
Description: NXP - BLF2425M7LS140,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| BLF2425M7LS140,112 |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - BLF2425M7LS140,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
Description: NXP - BLF2425M7LS140,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)