BLF6G10LS-135R,112 Ampleon USA Inc.
Виробник: Ampleon USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-502B
Current Rating (Amps): 32A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 871.5MHz ~ 891.5MHz
Power - Output: 26.5W
Gain: 21dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: SOT502B
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 950 mA
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 7173.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BLF6G10LS-135R,112 Ampleon USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-502B, Current Rating (Amps): 32A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 871.5MHz ~ 891.5MHz, Power - Output: 26.5W, Gain: 21dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: SOT502B, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 950 mA.
Інші пропозиції BLF6G10LS-135R,112 за ціною від 9446.02 грн до 10888.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G10LS-135R,112 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 65V 32A 3-Pin SOT-502B Blister |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| BLF6G10LS-135R,112 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BLF6G10LS-135R,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
BLF6G10LS-135R,112 | Виробник : Ampleon |
RF MOSFET Transistors LDMOS TNS |
товару немає в наявності |