BLF6G27LS-40P,112 NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - BLF6G27LS-40P,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 7645.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BLF6G27LS-40P,112 NXP
Description: RF MOSFET LDMOS 28V LDMOST, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-1121B, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.5GHz ~ 2.7GHz, Configuration: Dual, Common Source, Power - Output: 12W, Gain: 17.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: LDMOST, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 450 mA.
Інші пропозиції BLF6G27LS-40P,112
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G27LS-40P,112 | Виробник : Ampleon |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 15.5A 5-Pin LDMOST Bulk |
товар відсутній |
|
 |
BLF6G27LS-40P,112 | Виробник : Ampleon USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V LDMOST Packaging: Tray Package / Case: SOT-1121B Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.5GHz ~ 2.7GHz Configuration: Dual, Common Source Power - Output: 12W Gain: 17.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: LDMOST Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 450 mA |
товар відсутній |