BLF7G24LS-160P,112 Ampleon USA Inc.
Виробник: Ampleon USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT539B
Current - Test: 1.2 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: SOT539B
Technology: LDMOS
Gain: 18.5dB
Power - Output: 30W
Configuration: Dual, Common Source
Frequency: 2.3GHz ~ 2.4GHz
Package / Case: SOT539B
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BLF7G24LS-160P,112 Ampleon USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT539B, Current - Test: 1.2 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: SOT539B, Technology: LDMOS, Gain: 18.5dB, Power - Output: 30W, Configuration: Dual, Common Source, Frequency: 2.3GHz ~ 2.4GHz, Package / Case: SOT539B, Packaging: Tube.
Інші пропозиції BLF7G24LS-160P,112
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BLF7G24LS-160P,112 | NXP |
Description: NXP - BLF7G24LS-160P,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| BLF7G24LS-160P,112 |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - BLF7G24LS-160P,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
Description: NXP - BLF7G24LS-160P,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)