BLF8G10LS-270,112 Ampleon USA Inc.
Виробник: Ampleon USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-502B
Current Rating (Amps): 4.2µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 820MHz ~ 960MHz
Power - Output: 270W
Gain: 18.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: SOT502B
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 2 A
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BLF8G10LS-270,112 Ampleon USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-502B, Current Rating (Amps): 4.2µA, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 820MHz ~ 960MHz, Power - Output: 270W, Gain: 18.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: SOT502B, Part Status: Active, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 2 A.
Інші пропозиції BLF8G10LS-270,112
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BLF8G10LS-270,112 | NXP |
Description: NXP - BLF8G10LS-270,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| BLF8G10LS-270,112 |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - BLF8G10LS-270,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
Description: NXP - BLF8G10LS-270,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)