Продукція > NXP > BLL6G1214L-250,112

BLL6G1214L-250,112 NXP


BLL6G1214L-250.pdf
Виробник: NXP
РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BLL6G1214L-250,112 NXP

Description: RF MOSFET LDMOS 36V SOT502A, Current - Test: 150 mA, Voltage - Test: 36 V, Voltage - Rated: 89 V, Supplier Device Package: SOT502A, Technology: LDMOS, Gain: 15dB, Power - Output: 250W, Frequency: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-502A, Packaging: Tray.

Інші пропозиції BLL6G1214L-250,112

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BLL6G1214L-250,112 BLL6G1214L-250,112 Виробник : Ampleon USA Inc. BLL6G1214L-250.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 36V SOT502A
Current - Test: 150 mA
Voltage - Test: 36 V
Voltage - Rated: 89 V
Supplier Device Package: SOT502A
Technology: LDMOS
Gain: 15dB
Power - Output: 250W
Frequency: 1.2GHz ~ 1.4GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-502A
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.