Технічний опис BLP10H610AZ
Description: RF MOSFET LDMOS 50V 12HVSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 860MHz, Configuration: Dual, Common Source, Power - Output: 10W, Gain: 22dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: 12-HVSON (6x5), Part Status: Last Time Buy, Voltage - Rated: 104 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 60 mA.
Інші пропозиції BLP10H610AZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BLP10H610AZ |
|
на замовлення 43 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||
| BLP10H610AZ | Виробник : Ampleon |
RF FET LDMOS 104V 22DB VDFN-12 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
|
BLP10H610AZ | Виробник : Ampleon USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V 12HVSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 860MHz Configuration: Dual, Common Source Power - Output: 10W Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 12-HVSON (6x5) Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 104 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 60 mA |
товару немає в наявності |
|
|
BLP10H610AZ | Виробник : Ampleon USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V 12HVSONCurrent - Test: 60 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 104 V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: 12-HVSON (6x5) Technology: LDMOS Gain: 22dB Power - Output: 10W Configuration: Dual, Common Source Frequency: 860MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |

