Технічний опис BLP10H610Z Ampleon
Description: RF MOSFET LDMOS 50V 12HVSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 860MHz, Configuration: Dual, Common Source, Power - Output: 10W, Gain: 22dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: 12-HVSON (6x5), Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 104 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 60 mA.
Інші пропозиції BLP10H610Z
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BLP10H610Z | Виробник : Ampleon |
 Trans RF FET N-CH 104V 12-Pin HVSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
BLP10H610Z | Виробник : Ampleon |
Trans RF FET N-CH 104V 12-Pin HVSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
BLP10H610Z | Виробник : Ampleon USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V 12HVSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 860MHz Configuration: Dual, Common Source Power - Output: 10W Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 12-HVSON (6x5) Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 104 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 60 mA |
товару немає в наявності |
|
|
|
BLP10H610Z | Виробник : Ampleon USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V 12HVSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 860MHz Configuration: Dual, Common Source Power - Output: 10W Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 12-HVSON (6x5) Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 104 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 60 mA |
товару немає в наявності |