BLP27M810Z Ampleon USA Inc.
Виробник: Ampleon USA Inc.Description: RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.14GHz
Configuration: Dual, Common Source
Power - Output: 2W
Gain: 17dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 16-HVSON (6x4)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 110 mA
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1395.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BLP27M810Z Ampleon USA Inc.
Description: RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.14GHz, Configuration: Dual, Common Source, Power - Output: 2W, Gain: 17dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: 16-HVSON (6x4), Part Status: Last Time Buy, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 110 mA.
Інші пропозиції BLP27M810Z
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BLP27M810Z | Виробник : Ampleon |
Trans RF FET N-CH 65V 16-Pin HVSON EP T/R |
товар відсутній |
|
|
|
BLP27M810Z | Виробник : Ampleon USA Inc. |
Description: RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.14GHz Configuration: Dual, Common Source Power - Output: 2W Gain: 17dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 16-HVSON (6x4) Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 110 mA |
товар відсутній |
|
| BLP27M810Z | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors BLP27M810/HVSON16/REEL 7" Q1/T |
товар відсутній |