Продукція > AMPLEON > BLP8G05S-200GY
BLP8G05S-200GY

BLP8G05S-200GY Ampleon


231730916160751blp8g05s-200_8g05s-200g.pdf Виробник: Ampleon
Power LDMOS Transistor
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BLP8G05S-200GY Ampleon

Description: RF MOSFET LDMOS 28V 4HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1204-2, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 440MHz, Configuration: Dual, Common Source, Power - Output: 210W, Gain: 21dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: 4-HSOP, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 2 mA.

Інші пропозиції BLP8G05S-200GY

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BLP8G05S-200GY BLP8G05S-200GY Виробник : Ampleon USA Inc. BLP8G05S-200_8G05S-200G.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V 4HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1204-2
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 440MHz
Configuration: Dual, Common Source
Power - Output: 210W
Gain: 21dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 4-HSOP
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 2 mA
товар відсутній
BLP8G05S-200GY BLP8G05S-200GY Виробник : Ampleon USA Inc. BLP8G05S-200_8G05S-200G.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V 4HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1204-2
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 440MHz
Configuration: Dual, Common Source
Power - Output: 210W
Gain: 21dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 4-HSOP
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 2 mA
товар відсутній